STM32L053R8T6TR IC MCU 32BIT 64KB FLASH 64LQFP

ဖော်ပြချက်

ပါဝါအလွန်နိမ့် STM32L053x6/8 မိုက်ခရိုကွန်ထရိုလာများသည် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် Arm Cortex-M0+ 32-bit RISC core ဖြင့် 32 MHz ကြိမ်နှုန်းဖြင့် လုပ်ဆောင်နေသော မန်မိုရီကာကွယ်မှုတစ်ခု၊ universal serial bus (USB 2.0 crystal-less) ၏ ချိတ်ဆက်မှုပါဝါကို ပေါင်းစပ်ပေးပါသည်။ ယူနစ် (MPU)၊ မြန်နှုန်းမြင့် မြှုပ်သွင်းထားသော မှတ်ဉာဏ်များ (ဖလက်ရှ် ပရိုဂရမ်မမ်မိုရီ 64 Kbytes အထိ၊ ဒေတာ 2 Kbytes EEPROM နှင့် RAM 8 Kbytes) နှင့် ကျယ်ပြန့်သော အဆင့်မြှင့်ထားသော I/Os နှင့် အရံကိရိယာများ။STM32L053x6/8 စက်ပစ္စည်းများသည် ကျယ်ပြန့်သောစွမ်းဆောင်ရည်အတွက် မြင့်မားသောပါဝါထိရောက်မှုကို ပေးစွမ်းသည်။အတွင်းပိုင်းနှင့် ပြင်ပနာရီရင်းမြစ်များ၊ အတွင်းပိုင်းဗို့အား လိုက်လျောညီထွေဖြစ်စေသော ရွေးချယ်မှုနှင့် ပါဝါနိမ့်သောမုဒ်များစွာဖြင့် ၎င်းကို ရရှိနိုင်သည်။STM32L053x6/8 စက်များသည် analog အင်္ဂါရပ်များစွာ၊ ဟာ့ဒ်ဝဲလ် oversampling ပါသော 12-ဘစ် ADC တစ်ခု၊ DAC တစ်ခု၊ အလွန်နိမ့်သော ပါဝါနှိုင်းယှဉ်ကိရိယာ နှစ်ခု၊ အချိန်တိုင်းကိရိယာများစွာ၊ ပါဝါနိမ့်အချိန်တိုင်းကိရိယာတစ်ခု (LPTIM)၊ ယေဘုယျရည်ရွယ်ချက် 16-ဘစ်တိုင်မာသုံးခု နှင့် timebases အဖြစ်သုံးနိုင်သော RTC တစ်ခုနှင့် SysTick တစ်ခု။၎င်းတို့တွင် ကင်းစောင့်ခွေးနှစ်ကောင်၊ လွတ်လပ်သောနာရီနှင့် ပြတင်းပေါက်စွမ်းရည်ရှိသော စောင့်ကြည့်ခွေးတစ်ကောင်နှင့် ဘတ်စ်ကားနာရီပေါ်အခြေခံ၍ ပြတင်းပေါက်စောင့်ကြည့်ခွေးတစ်ခုလည်း ပါရှိသည်။ထို့အပြင်၊ STM32L053x6/8 စက်ပစ္စည်းများသည် စံနှင့်အဆင့်မြင့်ဆက်သွယ်ရေးအင်တာဖေ့စ်များ- I2C နှစ်ခု၊ SPI နှစ်ခု၊ I2S တစ်ခု၊ USART နှစ်ခု၊ ပါဝါနိမ့် UART (LPUART) နှင့် crystal-less USB တို့အထိ ထည့်သွင်းထားသည်။စက်ပစ္စည်းများသည် မည်သည့်အက်ပ်တွင်မဆို touch sensing လုပ်ဆောင်နိုင်စွမ်းကို ရိုးရှင်းစွာထည့်သွင်းရန်အတွက် capacitive sensing channels 24 ခုအထိ ပေးစွမ်းနိုင်သည်။STM32L053x6/8 တွင် အချိန်နှင့်တပြေးညီ နာရီတစ်လုံးနှင့် Standby မုဒ်တွင် ပါဝါကျန်ရှိနေသော အရန်မှတ်ပုံတင်များ အစုံပါရှိပါသည်။နောက်ဆုံးတွင်၊ ၎င်းတို့၏ ပေါင်းစပ်ထားသော LCD ထိန်းချုပ်ကိရိယာတွင် ထောက်ပံ့မှုဗို့အားနှင့် ဆန့်ကျင်ဘက်မတူဘဲ multiplexed LCD 8 ခုအထိ မောင်းနှင်နိုင်စေမည့် built-in LCD ဗို့အားဂျင်နရေတာ ပါရှိသည်။ပါဝါအလွန်နိမ့် STM32L053x6/8 စက်ပစ္စည်းများသည် BOR ဖြင့် 1.8 မှ 3.6 V ပါဝါထောက်ပံ့မှု (1.65 V မှ ပါဝါဆင်းချိန်တွင်) နှင့် BOR ရွေးချယ်မှုမရှိဘဲ 1.65 မှ 3.6 V ပါဝါထောက်ပံ့မှုမှ လည်ပတ်သည်။၎င်းတို့ကို -40 မှ +125°C အပူချိန်အကွာအဝေးတွင်ရရှိနိုင်သည်။ပြီးပြည့်စုံသော ပါဝါချွေတာသည့်မုဒ်များ အစုံလိုက်သည် ပါဝါနည်းသော အပလီကေးရှင်းများ၏ ဒီဇိုင်းကို ခွင့်ပြုသည်။